Energiesparende MOSFETs und IGBTS
Moderne Technologien für effiziente Halbleiter
Wide-Bandgap-Techniken wie Silizium-Carbid sorgen ebenso wie wie moderne IGBTs in »Trench Gate Field Stop«-Technik für möglichst geringe Verlustenergie. Mit der Kombination von Ansteuerschaltung und Leistungsstufe in einem Gehäuse lassen sich die…