Firma

AIXTRON SE

Joint Project "ForMikro-GoNext"

Driving Gallium Oxide for Vertical Power Semiconductors

The ForMikro-GoNext joint project examines beta-gallium oxide. Participants include the Leibniz Institute for Crystal Growth, the Ferdinand Braun Institute, the University of Bremen as well as ABB and Aixtron. The project is funded by the BMBF with…

Verbundprojekt »ForMikro-GoNext«

Galliumoxid für vertikale Leistungshalbleiter vorantreiben

Um Beta-Galliumoxid dreht sich das Verbundprojekt ForMikro-GoNext. Involviert sind das…

Mikro-LED-Displays

Weniger Defekte auf dem Wafer

Ob die Mikro-LED-Technik den Durchbruch schafft, hängt maßgeblich von den…

Micro LED Displays

Fewer Defects on the Wafer

Whether micro-LED technology achieves the breakthrough depends largely on the production…

LED Production

More Control Over the LED Emission Spectrum

A PhD student at the University of Duisburg-Essen has developed a new method for…

LED-Produktion | Hochschule Ruhr West

Mehr Kontrolle über LED-Emissionsspektrum für Hersteller

Ein Doktorand der Universität Duisburg-Essen hat eine neue Methode zur Überwachung von…

Broadcom, CIFUS und der Ruf der Heimat

Trump holt Halbleiter heim?

Broadcom – ursprünglich in den USA gegründet und dann nach Singapur gezogen – will zurück…

Angst vor IP-Abwanderung

Trump verhindert Übernahme von Lattice

Donald Trump hat den Verkauf von Lattice an einen Finanzinvestor gestoppt, hinter dem…

USA

Wirtschaftskrieg mit China?

Steht mal wieder ein neuer High-Tech-Handelskrieg bevor? Die USA bringen sich gegen China…

US-Bedenken verhindern Deal

Chinesen wollen Aixtron doch nicht

Fujian Grand Chip Investment will Aixtron nicht mehr, das bedeutet harte Einschnitte.