Massenspeicher

Erste SSD mit 19-nm-Flash

4. Juni 2012, 10:31 Uhr | Joachim Kroll
Toshiba SSD als mSATA-Modul mit 19-nm-Flash.
© Toshiba

Ab August will Toshiba Solid-State-Disks mit einer neuen Generation von NAND-Flash-Speichern auf den Markt bringen, die im 19-nm-Prozess gefertigt sind.

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Die Kapazität der neuen SSDs der Serie THNSNFxxxGzzS beträgt bis zu 512 GB. Außerdem wird es Modelle mit 64, 128 oder 256 GB geben. Die für Notebooks, Tablets, PCs, All-in-One-Desktops oder Industrie-PCs konzipierten Massenspeicher gibt es in drei Bauformen: mit einer Bauhöhe von 9,5 oder 7 mm sowie bis 256 GB auch als mSATA-Laufwerk.

Toshiba beansprucht für sich, mit der Entwicklung der NAND-Flash-Technologie die Innovationen im SSD-Markt maßgeblich mitzubestimmen. Die neuen 19-Nanometer-SSDs in MLC-Technik (Multi-level Cell) enthalten die NAND-Flashspeicher mit der höchsten Datendichte. Doch nicht nur die Dichte der Speicher hat sich erhöht, auch beim Zugriff können sie zulegen:  Die neue SSD-Serie ist mit einer Lesegeschwindigkeit von 524 MB/s und einer Schreibgeschwindigkeit von 461 MB/s doppelt so schnell wie die vorhergehende Laufwerksgeneration HG3 von Toshiba.

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Innenleben des mSATA-Moduls
© Toshiba

Die immer kleineren und empfindlicheren Strukturen der Speicherbausteine sind ein Problem für die Zuverlässigkeit der Speicher. Toshiba hat seine neuen THNSNF-SSDs deshalb mit QSBC (Quadruple Swing-By Code) ausgestattet. Dieser Fehlerkorrekturcode schützt vor Lesefehlern. Mit dem zusätzlichen Feature »Data Corrupt Protection« bietet die THNSNF-SSD-Serie zusätzlich einen Schutz der Daten bei internen Datentransfers im Falle einer unerwarteten Unterbrechung der Stromversorgung oder bei Schreibfehlern. Das integrierte Feature »Read only Mode« ermöglicht es dem Anwender, auf Daten auch bei Beschädigung des Laufwerks oder bei Ausfall der Schreibmöglichkeit zuzugreifen.

Darüber hinaus wird auch der TRIM-Befehl unterstützt. Damit kann das Betriebssystem die SSDs über Datenblöcke informieren, die nicht mehr genutzt werden, sodass sie intern gelöscht werden können.

Im Einklang mit Toshibas Bestreben, Umweltbelastungen auf ein Minimum zu reduzieren, sind die neuen Flashspeicher frei von Halogen und Antimon. Die Laufwerke bieten außerdem eine sehr hohe Energieeffizienz. Im Benchmark-Test MobileMark 2007 Workload liegt der Energieverbrauch bei weniger als 0,1 W. Durch die Integration der Advanced Power Management (APM)-Technologie wird eine Überwachung des Energieverbrauchs sichergestellt.


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