Elektronik

Siliziumkarbid bekommt Konkurrenz

Transphorm zeigt 1200-V-GaN-Transistor auf der ISPSD

Die neuesten Forschungsergebnisse für sein 1200-V-GaN-Bauelement wird Transphorm auf dem ISPSD im Mai 2022 vorstellen. Dieses Bauteil, das im Jahr 2023 bemustert werden soll, steht in direkter Konkurrenz zu SiC-MOSFETs.

Nachhaltige Energiespeicher

Stickstoff-dotiertes Graphen für bessere Superkondensatoren

Mit Stickstoff dotiertes Graphen, wie es Wissenschaftler am tschechischen RCPTM entwickelt…

Mit Intel-Xeon-D-Prozessoren

COM-Express-Modul von Seco

Mit den neuen Xeon-D-1700-CPUs von Intel eröffnen sich für die Board-Hersteller neue…

Industrietaugliche Aufsteck-Messmodule

Fünf Hüte für den Raspberry-Pi

Measurement Computing entwickelt Aufsteck-Messmodule für den Raspberry-Pi, die…

Software Tools

Tracealyzer 4.6 verfügbar

Entwickler, die Tracealyzer von Percepio zum Debuggen von Software Code nutzen, können ihr…

HBK-Akademie

Seminare zu Schall- und Schwingungsmessungen

Von der Grundlagenvermittlung bis zum Profi-Seminar: Der Messtechnik-Anbieter Hottinger,…

Mobile World Congress 2022

Vorschau auf die Messeneuheiten

Einige Aussteller des Mobile World Congress 2022 in Barcelona geben vorab einen Blick frei…

Oberflächenmontierte Bauteile

Wärmewiderstände im Griff haben

Da die Komponenten- und die Leistungsdichte auf modernen Platinen weiter zunehmen, wird…

Die Wahl der richtigen Funktechnik

Teil 1: Frequenzbereich, Reichweite und Netzwerkaufbau

Es kann schwierig sein, die richtige Funktechnik für eine bestimmte Anwendung zu wählen.…

Antennen für 5G

Die optimale Auswahl von Antennen erfordert Fachwissen

Nicht jeder Entwickler von Embedded-Systemen und IoT-Geräten kann gleichzeitig auch…