Elektronik

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3)

Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs

Silizium-MOSFETs sind weitestgehend ausgereift – ganz anders als solche aus Siliziumkarbid (SiC). Wenn wir verstehen, aus welchen Bestandteilen sich der Durchlasswiderstand eines SiC-MOSFETs zusammensetzt, lässt sich erkennen, wo noch Optimierungspotenzial besteht.

Ultra-Wide-Bandgap-Halbleiter

Erster Aluminiumnitrid-Kristall mit 43 mm Durchmesser

Aluminiumnitrid hat eine größere Bandlücke als Wide-Bandgap-Halbleiter wie...

Trennverstärker

Spannungen in Antrieben isoliert erfassen

Antriebe, String-Wechselrichter oder On-Board-Ladegeräte arbeiten mit so hohen...

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)

Bei SiC ist noch viel Luft nach oben

Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des...

Neue Generation von Silizium-IGBTs

Kleinere Chips und weniger Verluste

Basierend auf dem AE5-Prozess hat Renesas eine neue Generation von Silizium-IGBTs...

Kapazität von bis zu 64 kWh

Neues Heim-Energiesystem mit Semi-Solid-State-Batterie

Das Start-up Zendure hat ein portables Plug&Play-Energiesystem für Zuhause neu auf den...

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 1)

Wie SiC-MOSFETs langfristig günstiger werden

Auch wenn die Nachfrage nach SiC-MOSFETs rasant wächst, bleiben Fragen zu den...

CUI Devices

USB-4-Steckverbinder für 240 W und 40 Gbit/s

Der USB-4-Standard bietet Datenraten bis 40 Gbit/s und Leistungen bis 240 W. Damit...

Fahrzeugkommunikation

Neues Konzept für 5G-V2X und DSRC

Für die Kommunikation zwischen Fahrzeugen werden leistungsfähige Funksysteme in den...

11. Oktober in München

Konferenz Internet of Things

Noch einen Monat bis zur Konferenz »Internet of Things« mit zwanzig Vorträgen und...