Vishay
80V MOSFET mit führendem RDS(ON)-Wert von nur 0,88 mΩ
Um höhere Effizienzen und Leistungsdichten für industrielle Anwendungen zu erzielen, hat Vishay Intertechnology einen neuen 80V-TrenchFET Gen IV n-Kanal-Leistungs-MOSFET im PowerPAK 8x8SW Bond Wireless (BWL)-Gehäuse mit branchenführendem…