Doppelte Leistung, halbes Volumen
Ein kompaktes Kraftpaket, das die Leistung bei halbem Volumen verdoppelt, ist das neue SiC-Modul DOT-247 von Rohm Semiconductor. Entwickelt wurde es für Anwendungsbereiche wie PV-Wechselrichter, USV-Systeme und Halbleiterrelais. Es verfügt über eine kombinierte Struktur aus zwei TO-247-Gehäusen. Damit bewahrt das neue Modul die Vielseitigkeit des weitverbreiteten TO-247-Gehäuses, gewährleistet jedoch gleichzeitig eine hohe Designflexibilität und Leistungsdichte. Aufgrund seiner einzigartigen internen Struktur erzielt es zudem einen niedrigen Durchlasswiderstand. Seine optimierte Gehäusestruktur bewirkt im Vergleich zum TO-247 eine Reduzierung des Wärmewiderstands um etwa 15 Prozent und der Induktivität um circa 50 Prozent. Dies ermöglicht in einer Halbbrückenkonfiguration eine 2,3-mal höhere Leistungsdichte als beim TO-247. Dadurch lässt sich die gleiche Leistungsumwandlungsschaltung bei etwa der Hälfte des Volumens realisieren.
Rohm Semiconductor