Vertikale GaN-on-GaN-Technologie
Neue Maßstäbe in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit im GaN-Bereich setzt onsemi mit seiner Vertical GaN-Technologie vGaN. Diese proprietäre Technologie leitet Strom bei höheren Spannungen von vorerst 700 V und 1200 V vertikal durch einen monolithischen Chip, was schnellere Schaltvorgänge und kompaktere Designs ermöglicht. Diese vertikale GaN-Technologie kann Energieverluste und Wärmeverluste um fast 50 Prozent senken. Eary-Access-Kunden wurde die vGaN-Technologie in Form von 700- und 1200-V-Mustern bereits 2025 zur Verfügung gestellt. Sie können mit der vGaN-Technologie höhere Spannungen und größere Ströme bei geringerer Grundfläche verarbeiten. Bei der Stromumwandlung werden die Energieverluste reduziert, dadurch entsteht weniger Abwärme, und die Kühlkosten sinken. Eine höhere Schaltfrequenz reduziert zudem die notwendige Größe passiver Komponenten wie Kondensatoren und Induktivitäten auf dem Board.
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