Dr. Peter Friedrichs hält Keynote auf der EPE 2016
9. September 2016, 9 Bilder
Die grundsätzliche Herausforderung bei SiC-MOSFETs liege in der Abwägung zwischen Performance einerseits und Robustheit andererseits. Unter die Robustheit subsummierte Dr. Friedrichs die Schwellenspannung, die Oxid-Lebensdauer, Robustheit gegen Höhenstrahlung und die Kurzschlussfestigkeit. Mit einem planaren DMOS-Transistor sei dies laut Friedrichs schwierig zu erreichen, denn die Defektdichte an der Schnittstelle zum Gate-Oxid ist bei 4H-Siliziumkarbid recht hoch. Diese Defekte behindern die Elektronen und verringern deren Mobilität im Kanal. Dadurch steigt der elektrische Widerstand des Kanals, sodass die Verluste steigen bzw. der Kanalstrom sinkt.