Dr. Peter Friedrichs hält Keynote auf der EPE 2016

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Zwei wesentliche Vorteile von unipolaren SiC-MOSFETs gegenüber bipolaren IGBTs sind die lineare U/I-Kennlinie der MOSFETs und die bei ihnen inhärente Body-Diode. Daher haben SiC-MOSFETs keinen Tail-Strom beim Abschalten und die Sperrverzögerungsladung ist gering, sodass die Einschaltverluste vergleichsweise klein sind.

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