Toshiba
Kompakter Automotive-Leistungs-MOSFET
30. März 2016, 17:40 Uhr |
Ingo Kuss
Der neue 40-V-n-Kanal-Baustein mit niedrigem Durchlasswiderstand eignet sich für verschiedene leistungsstarke Automotive-Anwendungen wie DC/DC-Wandler, elektrische Servolenkung (EPS; Electric Power Steering) und Lastschalter.
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Der niedrige RDS(on)-Wert von typisch 0,6 / max. 0,74 mOhm des TKR74F04PB wird durch die Kombination von Toshibas neuestem Trench-MOS-Prozess der neunten Generation und des eigens entwickelten TO-220SM(W)-Gehäuses erzielt. TO-220SM(W) bietet einen breiteren und kürzeren Source-Anschluss als herkömmliche D2PAK-Gehäuse (TO-263) und benötigt aufgrund seiner geringeren Stellfläche weniger Platz auf der Leiterplatte.
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