Leistungs-MOSFET
Geringe Leitungsverluste
18. Mai 2015, 14:27 Uhr |
Ingo Kuss
Toshiba Electronics hat einen neuen p-Kanal-MOSFET vorgestellt, der für Automotive-Anwendungen wie Verpolschutz und Motorsteuerung optimiert ist.
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Der neue Leistungs-MOSFET TJ200F04M3L erzielt einen niedrigen Durchlasswiderstand, da der in Toshibas U-MOS VI Trench-Prozess gefertigte Chip über einen Kupferanschluss in einem TO-220SM-(W)-Gehäuse befestigt ist. Der Baustein verfügt über einen verbesserten Aufbau und sorgt so für geringere Leitungsverluste.
Die Kennwerte des TJ200F04M3L lauten: UDSS = -40 V, ID = -200 A und RDS(ON) max = 1,8 mΩ bei UGS = 10 V. Der Leistungs-MOSFET arbeitet bei einer maximalen Kanaltemperatur bis zu 175 °C. Er entspricht dem Standard AEC-Q101 der Automobilelektronik-Qualifizierung.
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