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Polish Institute of Nuclear Physics

Modeling SiC Crystal Defects

Imperfections of crystal structure deeply modify basic properties of the entire material and, in consequence, drastically limit its applications. Using silicon carbide as an example, Polish physicists have shown that even such computationally…

Polnisches Institut für Kernphysik

SiC-Kristalldefekte modellieren

Kristalldefekte verändern die Eigenschaften des Gesamtmaterials und begrenzen damit dessen…

End of Silicon?

First Processor Made of Carbon Nanotube Transistors

A processor consisting of carbon nanotube transistors could replace the previous silicon…

Low Budget Open Source

Studenten entwickeln »Desktop-MRT«

Tonnenschwer und teuer, so kennt man bislang Magnetresonanztomographen (MRTs). Ein Team…

Ende des Siliziums?

Erster Prozessor aus Carbon-Nanotube-Transistoren

Einen Prozessor, der aus Carbon-Nanotube-Transistoren aufgebaut ist, könnte die bisherigen…

Massachusetts Institute of Technology

Neuartiger Elektrolyt für Superkondensatoren

Forscher am MIT haben eine neue Klasse von Elektrolyten für Superkondensatoren entwickelt.…

Ferdinand Braun Institute

Gallium-Oxide Power MOSFET Handles 155 MW/cm²

The Ferdinand Braun Institute has developed a lateral power transistor that achieves a…

Ferdinand-Braun-Institut

Galliumoxid-MOSFET bewältigt 155 MW/cm²

Das Ferdinand-Braun-Institut hat einen lateralen Leistungstransistor entwickelt, der bei…

Karlsruher Instituts für Technologie-KIT

Der Teilchenbeschleuniger von morgen

Nach einer Fördermittelzusage des Bundesforschungsministeriums wird an der Accelerator…

IFA 2019

Gesunde Sitzhaltung dank Sensortechnik

Ob Schmerzen im Rücken, an Schultern oder Knien: Die falsche Haltung am Arbeitsplatz kann…