Siliziumkarbid
Forscher lernen mehr über SiC-Defekte
Die Defektdichte bei SiC-Wafern zu senken, ist eine große Herausforderung. Nun hat ein europäisches Forscherteam ein Modell erarbeitet, wie diese Kristalldefekte entstehen und sich ausbreiten. Dies könnte dazu führen, dass die Ausbeute höher wird und…