Power

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

Infineon will Siliziumkarbid-MOSFETs raus aus der Nische bringen

Noch immer sind SiC-MOSFETs wesentlich teurer als ihre Pendants aus Silizium. Daher kommen sie bislang vor allem in Nischen zum Einsatz. Wie Infineon diese Bauteile auch für andere Anwendungen attraktiv machen will, fragten wir Dr. Peter Friedrichs, Vice President SiC bei Infineon.

Nickelate-Struktur erstmals ermittelt

Hoffnung für Supraleitung

An der TU Wien konnte erstmals die elektronische Struktur von Nickelaten – den neuen...

Im Wettstreit mit China und den USA

»Europa braucht einen ökologisch-ökonomischen Masterplan!«

Die rasche Formulierung eines tragfähigen ökologisch-ökonomischen Gesamtkonzepts für...

Infineon

Hochintegrierte Lösung für vereinheitlichte USB-Typ-C-Ladegeräte

Kürzlich hat die Europäische Kommission in der überarbeiteten Funkgeräterichtlinie...

Forschungsprojekt von BASF und dem KIT

Mehrschichtige Anoden für bessere Lithium-Ionen-Batterien

Um Lithium-Ionen-Batterien zu verbessern, forscht die BASF gemeinsam mit dem Karlsruher...

Marktanalyse von TrendForce

Navitas stößt Power Integrations vom GaN-Thron

GaN-Leistungsbausteine sind nach Einschätzung der Marktforscher von TrendForce die am...

Transformatives intelligentes BMS

Damit halten Akkus bis zu 60 Prozent länger durch

Brill Power, ein Spin-out-Unternehmen der Universität Oxford, hat ein neues...

Intelligente Leistungselektronik

»Laden kann ganz schnell gehen«

Erfolgreiche Elektromobilität, die den Nutzer durch ihre Performance überzeugt,...

2ndlifesolar

Ein zweites Leben für alte PV-Anlagen

Ihre alten oder defekten Photovoltaikmodule können Solarparkbetreiber aus ganz...

Begehrtes Metall

Die Länder mit den größten Lithiumvorräten

Insgesamt verfügt die Welt über Lithium-Reserven in Höhe von 19.155.000 t. Hier sind...