Power

Galliumnitrid

Integrierte GaN-Gate-Treiber im Vergleich

GaN-Transistoren sind Silizium-MOSFETs in vielem überlegen – nur nicht in der Ansteuerung. Mit einem System-in-Package aus HEMT und Gate-Treiber kann der Hersteller des GaN-HEMT den optimalen Treiber auswählen – und der Anwender muss sich darum keine…

Viel Know-how notwendig

Isolierte Controller

Anthony Sanders, Distinguished Engineer von Infineon Technologies, erklärt im Video, wo…

Texas Instruments

Höhere Leistungsdichte dank integrierter GaN-Lösungen

Auch wenn Lösungen mit GaN-Transistoren höhere Leistungsdichten und Wirkungsgrade…

Navitas Semiconductor

GaN-Halbbrücke mit GaNSense-Technologie

Basierend auf ihrer GaNSense-Technologie hat Navitas nun ein Halbbrücken-IC vorgestellt,…

Baukasten für grüne Schifffahrt

Emissionsfreie Fähren 70 Prozent schneller entwickeln

Künftig sollen für Fährprojekte 70 Prozent Entwicklungszeit und 25 Prozent…

Stromversorgungen

Wie lassen sich typische Fehler im PCB-Layout vermeiden?

Ein mangelhaftes Leiterplatten-Layout führt zu unnötig hohen parasitären Induktivitäten,…

Schaltregler

EMV-Störungen von Speicherdrosseln minimieren

Schaltregler kommen typischerweise nicht ohne Speicherinduktivitäten aus. Wenn man ihren…

Grüner Wasserstoff aus Afrika

Hoffnung in der Energiekrise

Das Gas ist knapp, die lang geplante Energiewende stockt. Jetzt schaut Deutschland…

Extrem schnelles Laden von Batterien

Nur 3 Prozent Ladungsverlust nach 2600 Zyklen

Die kommerziellen 7-Ah-Zellen von Charge CCCV (C4V) hat Magnis Energy in jeweils nur 20…

Materialrecycling

Aus alten Batterien werden neue

Im Projekt LiBinfinity erarbeiten Partner aus Forschung und Industrie ein ganzheitliches…