300-W-TVS-Dioden
Im 2 x 2 mm großen Leadless-Plastikgehäuse
NXP Semiconductor hat TVS-Dioden (Transient Voltage Suppressor) herausgebracht, die in Leadless-Plastikgehäuse der Bauart DFN2020-3 eingebaut sind.
Bei den neuen Bausteinen von NXP Semiconductor handelt es sich um eine aus sechs Bauelementen bestehende Serie von TVS-Dioden mit der Bezeichnung PTVSxU1UPA. Die Grundfläche dieser Gehäuseform misst 2 mm × 2 mm, die Höhe lediglich 0,62 mm. Die Bauteile sind ausgelegt für eine maximale Impulsleistung von 300 W und Sperrspannungen zwischen 7,5 und 26 V. Der Leckstrom beträgt 1 nA.
Die Bausteine der neuen Serie sind gemäß AEC-Q101 qualifiziert und eignen sich insbesondere für den Schutz empfindlicher Bauelemente vor Spannungsspitzen in den unterschiedlichsten Anwendungen, etwa am Ladeanschluss mobiler Geräte.
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