Produkte des Jahres 2025 – Power

Deutlich reduzierte Abschaltverluste

Mit der neuesten Generation der »EliteSiC M3e«-MOSFETs hat Onsemi ein Produkt auf den Markt gebracht, das Abschaltverluste für elektrische Anwendungen um bis zu 50 Prozent reduzieren kann. Im Vergleich zu früheren Generationen können die in planarer Architektur ausgeführten SiC-MOSFETs die Leitungsverluste um 30 Prozent und die Abschaltverluste um bis zu 50 Prozent reduzieren. Zudem bieten die EliteSiC-M3e-MOSFETs den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand mit Kurzschlussfähigkeit, was für den Markt der Traktionswechselrichter entscheidend ist. Verpackt in moderne diskrete Leistungsmodule liefert der 1200-V-M3e-Die wesentlich mehr Phasenstrom als die bisherige EliteSiC-Technologie, was zu einer um 20 Prozent höheren Ausgangsleistung im gleichen Traktionswechselrichtergehäuse führt.

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