Produkte des Jahres 2025 – Power

Seit Oktober 2024 befinden sich die »CoolSiC MOSFET 400V G2« in der Serienproduktion. Gegenüber bestehenden 650-V-SiC-MOSFETs zeichnen sie sich durch sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste aus. In einem mehrstufigen PFC implementiert kann der Spitzenwirkungsgrad von AC/DC-Stufen auf über 99,5 Prozent gesteigert werden, wobei eine hohe Leistungsdichte von mehr als 100 W/Inch3 erhalten bleibt. Insgesamt umfasst die neue SiC-MOSFET-Familie 10 Produkte: fünf RDS(on)-Klassen von 11 bis 45 mOhm, jeweils im Kelvin-Source-TOLL- und D2PAK-7-Gehäuse mit XT-Package-Verbindungstechnologie. Mit einer Drain-Source-Durchschlagsspannung von 400 V bei Tvj = 25 °C eigenen sich die neuen SiC-MOSFETs besonders für den Einsatz in 2- und 3-Level-Konvertern und für die synchrone Gleichrichtung.

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