Top 10 Trends in der Halbleitertechnik 2019
20. Dezember 2019, 10 Bilder
Ein Team unter der Leitung der EPFL (Föderale Polytechnische Hochschule Lausanne) hat neuartige laterale Mehrkanal-AlGaN/GaN-Leistungsbauelemente mit hoher Durchbruchspannung (1230 V) und niedrigem On-Widerstand (2,8 Ωmm) vorgestellt.