Speicher gehen in die dritte Dimension

9. Dezember 2015, 8 Bilder

Bild 4. Aufbau der Zelle in einem CMOS-kompatiblen 1-Kbit-16 nm-FIND-RRAM. Oben schematischer Aufbau der FinFETs entlang der Bitleitung. Unten Elektronenmikroskopischer Querschnitt

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