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Spansion: »Wir wollen den NOR-Flash-Markt neu definieren!«

17. Oktober 2008, 16:02 Uhr | Corinna Puhlmann, Markt&Technik

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Spansion: »Wir wollen den NOR-Flash-Markt neu definieren!«

Vor kurzem haben Sie erstmals einen echten NAND-Flash-Chip vorgestellt. Heißt das, Sie wollen jetzt auch kräftig im NAND-Markt mitmischen?

Das NAND-Flash-Geschäft ist größtenteils ein Massenmarkt, der hart umkämpft ist. Typische Applikationen, wie Speicherkarten, USB-Drives und Solid State Disks, wollen wir mit unseren NAND-Bausteinen definitiv nicht adressieren. Dieses Feld überlassen wir gerne den anderen Herstellern, denn der Preisdruck in diesem Segment ist enorm hoch. Der Aufwand, um immer kleinere Fertigungsgeometrien einzuführen, setzt die Hersteller unter Druck. Und dort sehen wir auch nicht unsere Stärken. Wir konzentrieren uns mit unseren NAND-Flash-Bausteinen auf Anwendungen, die hochwertigere NAND-Bausteine benötigen. Im Fokus stehen beispielsweise der Mobiltelefon- und Industriemarkt.

Was ist das Besondere an Ihren NAND-Flash-Speichern?

Unsere neue NAND-Familie des Typs »ORNAND2« umfasst Bausteine mit Kapazitäten von 1 bis 4 GBit, die für 1,8 und 3 V ausgelegt sind. Unsere »ORNAND2«-Chips zeichnen sich im Vergleich zu herkömmlichen NAND-Flash-ICs durch eine um 25 Prozent schnellere Schreibgeschwindigkeit und eine doppelt so schnelle Lesegeschwindigkeit bei kleinerer Die-Größe aus. Das Besondere ist, dass die NAND-Chips auf der »Charge Trapping«-Technologie basieren, die eine Alternative zu Floating Gate darstellt.

Aus unserer Sicht ist das die Speichertechnologie der Zukunft, weil die herkömmliche Floating- Gate-Technologie bald an ihre Grenzen stoßen wird. Der Umstieg auf immer kleinere Fertigungsgeometrien von Strukturbreiten unter 40 nm ist mit der Floating-Gate-Technologie nur noch bedingt und mit immensem Aufwand möglich. Das heißt, die Industrie könnte bald vor großen Herausforderungen stehen. Mit unseren NAND-ICs des Typs »ORNAND2« zeigen wir, dass sich die Charge-Trapping-Technologie, die wir erfolgreich seit Jahren in unseren »MirrorBit«-NOR-Speichern einsetzen, auch auf das NAND-Flash-Segment übertragen lässt.

Durch die Übernahme von Saifun Semiconductors halten Sie viele Patente der Charge-Trapping-Technologie. Wie wichtig wird für Sie künftig das Lizenzierungsgeschäft sein?

Wir wollen den Commodity-Markt im NAND-Flash-Segment nicht selbst bedienen, aber durchaus von diesem Markt profitieren. Durch Lizenzgelder werden wir daran teilhaben. In Zukunft werden sich nahezu alle Hersteller von NAND-Flash-Speichern mit der »Charge Trapping«-Technologie auseinandersetzen. Da wir alle relevanten Patente halten, führt nach meinem Stand der Informationen eigentlich kein Weg an Spansion vorbei.

Unser Know-how-Vorsprung ist groß: Bereits 1998 haben wir mit der Entwicklung unserer Mirror-Bit-Bausteine gestartet, die auf der Charge-Trapping-Technologie basieren. Seit 2004 produzieren wir die Mirror-Bit-NOR-Bausteine erfolgreich, die heute einen großen Teil von unserem Geschäft ausmachen. Der erster NAND-ICs auf Basis der »Charge Trapping«-Technologie markiert jetzt einen weiteren Meilenstein. Unsere Technologie wird sicherlich in den NAND-Massenmarkt einziehen.