Halbleiter

Alliance Memory

Schneller DDR3L-SDRAM-Baustein mit 8 GBit

In ein 9 x 13,2 mm großes 78-Ball-FBGA-Gehäuse hat Alliance Memory seinen monolithischen, schnellen DDR3L-SDRAM-Baustein AS4C1G8MD3L mit einer Speicherkapazität von 8 GBit integriert. Adressiert werden mit der CMOS-Komponente High-End-Computer und…

Nach IRF die nächste Akquisition

Infineon kauft Wolfspeed für 850 Mio. Dollar

Infineon plant den Erwerb von Wolfspeed Power and RF, einer Geschäftseinheit des…

Rohm: Interview mit SiC-Chef Dr. Ino

Siliziumkarbid weiter auf dem Vormarsch

Momentan blicken alle auf Galliumnitrid. Hat Siliziumkarbid etwa nichts Neues zu bieten?…

ZVEI

Zuwachs für Elektroindustrie im Mai

Die deutsche Elektroindustrie kann sich im Mai dieses Jahres um insgesamt 3,4 Prozent mehr…

Umrichter aus Turgi

Halbleiter plus System-Know-how = Effizienz

Auch die energieeffizientesten Halbleiter nützen nichts, wenn sie nicht optimal in die…

Rugged Flash Drive als Speicher-Stick

Fünf Mal schneller mit USB 3.0

Fischer Connectors präsentiert die USB 3.0-Version des äußerst leichten und extrem…

Fachtagung Test Equipment und -verfahren

Tests als Schlüsselkompetenz

Die VDI/VDE-GMM-Fachgruppe Test Equipment und -verfahren traf sich vom 3. bis 4. Mai 2016…

Schrauben und Federn

Neue VDI/VDE-Richtlinien

Bei feinwerktechnischen Anwendungen kommt es auf die Verbindungstechnik an. Hilfreiche…

Flash-Speicher aufgestockt

3D-Flash-Speicher geben Gas

Ende 2015 hatte Toshiba bereits einen 3D-Flash-Speicher mit 48 Lagen vorgestellt. Jetzt…

Nach dem »Ausverkauf« in Europa

Ist die Politik schuld?

Die neusten Fabs werden derzeit nicht in Europa gebaut. Die Halbleiterindustrie…