Halbleiter

MOSFETs im TO-220 FullPAK Wide Creepage

Isolationskriterien erfüllen

Wie lassen sich Isolationsvorschriften für MOSFETs ohne zusätzliche Arbeitsschritte und Einschränkungen des thermischen Verhaltens erfüllen? Zum Beispiel durch ein leicht adaptiertes Gehäuse mit höherer Kriechstrecke. Die Folge: einfacheres Design…

1700-V-SiC-MOSFETs machen es möglich

Hilfsstromversorgungen - kompakt und kostengünstig

In Hilfsstromversorgungen für dreiphasig gespeiste industrielle Sys­teme lassen sich durch…

Neue Zellenstruktur für hohe Effizienz

Rohm stellt dritte IGBT-Generation vor

Mit ihrer innovativen Zellenstruktur erzielen die 650-V-IGBTs von Rohms dritter Generation…

Infineon Technologies

Den Erfindergeist entfesseln

Infineon war in diesem Jahr bereits zum 2. Mal auf der »Make Munich« vertreten, dieses…

Höhere Leistung und kompaktere Umrichter

Acht neue HV-IGBT-Module

Mitsubishi hat acht weitere HV-IGBT-Module der X-Serie in den Spannungsklassen 3,3 kV; 4,5…

Elektronik-Zeitreise

Die wichtigste Erfindung der Welt

Ob Fernseher, Notebook oder Smartphone: Elektronik-Geräte bestimmen unseren Alltag. Doch…

Kolumne

Abi 90

Zwei Polizisten finden eine Leiche vor dem Gymnasium. Fragt der eine Polizist: „Du für´s…

Rechenleistung satt

NXPs i.MX8-Familie macht ARM glücklich

Bis zu acht ARM-CPUs verbunden mit DSP,Video-Engine und GPU sollen bei…

Exklusiv-Interview

»Eine IoT-Fabrik sorgt für Null-Fehler-Chips«

Die Philosophie des japanischen Chipherstellers Rohm ist simpel: Qualität und nochmals…

EDA: enge Verzahnung

Cadence und Mathworks vertiefen Kooperation

Erstes Ergebnis der intensivierten Zusammenarbeit zwischen Cadence und Mathworks ist die…