Halbleiter

Toshiba Memory

In drei Jahren an die Börse

Toshiba Memory soll die 3D-NAND-Technik schnell weiter entwickeln, Übernahmen tätigen und als Technologieführer in drei Jahren an die Börse gehen.

Neues Produktionsgebäude geplant

Rohm steigert SiC-Produktionskapazität

Rohm plant in seinem Apollo-Werk im japanischen Chikugo ein neues Produktionsgebäude. Die…

NAND-Flash-Markt schrumpft

Intel und Toshiba legen gegen den Trend zu

Um 3 Prozent ist der Umsatz im NAND-Flash-Markt gesunken – doch gegen den Trend wuchsen…

Mikrocontroller

Neue PIC- und AVR-Controller für Regelkreise

Microchip stellt die neuen 8-Bit-Mikrocontroller (MCUs) der Serien PIC18 Q10 und…

Hochspannungs-SiC-Wechselrichter

Zur Stabilisierung von Mittelspannungsverteilnetzen

Forscher des Fraunhofer ISE haben einen Wechselrichter zur direkten Einspeisung in das…

Renesas Semiconductor

Zwei Halbleiter-Produktionsstandorte werden geschlossen

Innerhalb von zwei bis drei Jahren will Renesas die Halbleiterproduktion in Yamaguchi…

Isolierte Gate-Treiber

Tore öffnen – aber wie?

Gate-Treiber liefern den Treiberstrom für das Gate von MOSFETs oder IGBTs. Wie…

Mit nichtlinearen Kapazitäten umgehen

Schaltungs-Design mit Planar- und Superjunction-MOSFETs

Die in heutigen MOSFETs auftretenden Kapazitäten sind hochgradig nichtlinear. Wie sollten…

Transimpedanzverstärker

Ideal für leistungsfähige und kostengünstige Rauchmelder

In Rauchmeldern kommen Operationsverstärker als Transimpedanzverstärker zum Einsatz, um…

Obsoleszenz-Probleme lösen

SiC-Kaskoden ersetzen Si-MOSFETs

Mit SiC- und GaN-Halbleitern lassen sich hochleistungsfähige Systeme realisieren –…