VisIC Technologies
GaN-Halbbrückenmodul mit 1200 V
1200-V-Halbbrückenmodule sind Standardkomponenten in der Umrichtertechnik – viele Jahre bestückt mit Silizium-IGBTs, seit einiger Zeit auch mit Siliziumkarbid-MOSFETs. Nun bietet das israelische Start-up VisIC solche Module mit…