Halbleiter

Treiber-ICs

Extrem schnelle GaN-Transistoren richtig steuern

Galliumnitrid-Transistoren schalten viel schneller und haben damit weniger Verluste als ihre Vettern aus Silizium. Allerdings sind sie in mancher Hinsicht nicht so robust. Entscheidend sind eine speziell darauf optimierte Gate-Ansteuerung und ein optimiertes Platinenlayout.

Nur Globalfoundries verliert

Plus 18 Prozent für Top-Ten-Foundries

Außer Globalfoundries können alle Top-Ten-Foundries ihren Umsatz im vierten Quartal...

Neue US-Sanktionen

Schmerzlich für SMIC und China

Die neuerlichen Sanktionen gegen SMIC machen es China noch schwerer, eine unabhängige...

Leserwahl »Produkte des Jahres 2021«

Mitmachen und gewinnen, Ihre Stimme zählt!

Die Elektronik-Redaktion ruft zur 23. Leserwahl »Produkte des Jahres« auf. Stimmen Sie...

Intel Lab Day 2020:

Integrierte Silizium-Photonik kommt ins Rechenzentrum

Auf dem heutigen Lab Day 2020 gab Intel Einblicke in die aktuellen Entwicklungen im...

ZVEI zum Halbleitermarkt

»Europas Chance liegt im Edge«

Der Weltmarkt für Halbleiter entwickelt sich besser als die globale Konjunktur. Jedoch...

Snapdragon Tech Summit Digital 2020

Qualcomm bringt neuen Flaggschiff-Boliden Snapdragon 888 5G

Die neue mobile Plattform Qualcomm Snapdragon 888 5G legt die Latte für...

Fraunhofer-Gesellschaft

Die vier Säulen der Quanten-Technologie

Die Fraunhofer-Gesellschaft hat »Quanten-Technologie« als »Strategisches...

Problem Elektroschrott

Norweger sind Spitzenreiter in Europa

Weihnachten naht - ein Grund zur Freude, aber auch ein Ärgernis. Denn die beliebtesten...

Infineon / Siliziumkarbid

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste...