Halbleiter

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei 15 mΩ für einen 650-V-Baustein im TO-247-3-Gehäuse, was und 25 Prozent weniger Verlustleistung produzieren soll als äquivalente Siliziumkarbid-MOSFETs. Zielmarkt…

On Semiconductor

Hassane El-Khoury wird Nachfolger von Keith Jackson

Im September dieses Jahres wurde bekanntgegeben, dass Keith Jackson, als President und CEO…

Martin Schneider-Ramelow, Fraunhofer IZM

Drahtbonding hat noch lange nicht ausgedient

Obwohl es Drahtbonden seit mehr als einem halben Jahrhundert gibt, besitzt diese…

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs vor Kurzschluss schützen

Im Vergleich zu IGBTs aus Silizium stellen äquivalente MOSFETs aus Siliziumkarbid höhere…

Die iSLC-Technik von Innodisk

Kostengünstige SSDs für die Industrie

So langlebig und zuverlässig wie MLC-NAND-ICs, so leistungsfähig wie die SLC-Typen – und…

Deutsche Elektroindustrie

ZVEI sieht steigende Auftragseingänge

Mit einem leicht steigenden Auftragseingang im Oktober den zweiten Monat in Folge sieht…

Treiber-ICs

Extrem schnelle GaN-Transistoren richtig steuern

Galliumnitrid-Transistoren schalten viel schneller und haben damit weniger Verluste als…

Nur Globalfoundries verliert

Plus 18 Prozent für Top-Ten-Foundries

Außer Globalfoundries können alle Top-Ten-Foundries ihren Umsatz im vierten Quartal 2020…

Neue US-Sanktionen

Schmerzlich für SMIC und China

Die neuerlichen Sanktionen gegen SMIC machen es China noch schwerer, eine unabhängige…

Leserwahl »Produkte des Jahres 2021«

Mitmachen und gewinnen, Ihre Stimme zählt!

Die Elektronik-Redaktion ruft zur 23. Leserwahl »Produkte des Jahres« auf. Stimmen Sie ab…