Halbleiter

FAMES-Pilotlinie

Fortschritte bei FD-SOI, RF und 3D-Integration

Die FAMES-Pilotlinie wurde am 30. Januar 2026 offiziell in Grenoble eingeweiht und liefert bereits validierte Ergebnisse aus FD-SOI, RF, 3D-Integration und Speichertechnologien. Als offene 300-mm-Plattform unterstützt sie Industrie und Forschung bei der Überführung neuer Halbleitertechnologien.

DRAMs und NAND-Chips bleiben 2026 knapp

Strategische Herausforderungen und Versorgungssicherheit

Der Memory-Superzyklus ist längst Realität: Branchenanalysen gehen davon aus, dass 2026...

Siliziumphotonik

300-mm-fähiger Prozess zur Integration von Bariumtitanat

Veeco und imec haben einen 300-mm-fähigen Prozess zur Integration von Bariumtitanat in...

Spitzenforschung für europäische KI

Neue Technologien für effiziente KI-Edge-Systeme

Im Rahmen des Forschungsprojekt »NeAIxt« entwickelt das Fraunhofer IPMS neue...

Geld für Technologie-Start-ups

Neuer Fonds für Innovationstransfer in Deutschland

Fraunhofer setzt seine Fondsinitiative fort und startet gemeinsam mit dem EIF sowie...

Auf zur nächsten Wachstumsphase

Q.ANT beruft Utz Bacher zum VP Software

In seiner neuen Funktion verantwortet Utz Bacher den Ausbau des Softwarebereichs und...

NanoXplore/STMicroelectronics

Europäisches FPGA für Weltraummissionen zertifiziert

NanoXplore und STMicroelectronics haben das strahlungsgehärtete SoC-FPGA NG-ULTRA für...

Tool-Chains sind der Engpass

Edge-KI braucht Software, nicht nur starke Hardware

Im Interview mit Markt & Technik erklärt Rich Simoncic, COO von Microchip Technology,...

Kurz vor der Nvidia-Qualifizierung

Samsung holt bei HBM-Speichern auf

Nvidia soll Samsung Electronics schon bald die Freigabe für HBM4-Speicher erteilen,...

Integrierter Photonik

Ligentec und X-FAB erweitern PIC-Zusammenarbeit

Ligentec und X-FAB reagieren auf die wachsende Nachfrage in den Märkten für...