7 nm als dritte Generation der FinFET-Prozesse.

8. Dezember 2017, 6 Bilder
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Für leistungshungrige Anwendungen stehen breite Metallisierungsstrukturen, größere Kontaktflächen und Vias zur Verfügung. Bei einem High-Speed-Buffer bringt das 30 % Verbesserung in der Anstiegszeit.