Produkte des Jahres 2019 – Aktive Bauelemente

Kennziffer 030: FRAM-Baustein MB85R8M2T mit 8 Mbit von Fujitsu.

Fujitsu veröffentlicht ein neues FRAM-Produkt mit einer Speicherdichte von 8 Mbit. Der MB85R8M2T eignet sich vor allem für den Einsatz in Systemen zur industriellen Automatisierung sowie in Finanzdaten-relevanten Logging-Systemen. Das neue Produkt ist mit einer SRAM-kompatiblen parallelen Schnittstelle ausgestattet und bietet eine effiziente Alternative zum batteriegestützten SRAM.

Basierend auf den einzigartigen Eigenschaften von FRAM als nichtflüchtigem Speicher, wie schnellem Überschreiben bei 150 ns und 10¹³ Lese-/Schreibzyklen, kann der MB85R8M2T ein SRAM ersetzen und gleichzeitig die Backup-Batterie überflüssig machen. Der MB85R8M2T bietet einen weiten Spannungsbereich von 1,8 bis 3,6 V. Er ist in einem 48-poligen FBGA-Gehäuse mit den Abmessungen 8 × 6 mm² erhältlich.