Produkte des Jahres 2017 - Aktive Bauelemente

Bild 3. Mit dem zweiten Preis in der Kategorie Aktive Bauelemente honorierten die Leser der Elektronik den Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET „CoolSiC MOSFET“ von Infineon. Er wird als einzelner Transistor (Bild) im 3- oder 4-poligen TO-247-Gehäuse für eine Sperrspannung von 1200 V mit einem Durchlasswiderstand von 45 mΩ angeboten oder als Modul mit zwei MOSFETs – mit Durchlasswiderständen von 11 mΩ oder 23 mΩ - zum Schalten von Strömen bis 40 A. Sie lassen sich mit den gleichen Spannungspegeln wie IGBTs ansteuern, +15 V/-5 V.