Neue serielle F-RAMs mit 512 KBit und 1 MBit
»Die neuen Speicherchips stellen wegen ihres niedrigen Stromverbrauchs, einer um Größenordnungen längeren Lebensdauer und höheren Lese- und Schreibgeschwindigkeit ein signifikantes Upgrade gegenüber EEPROM-Bausteinen dar«, sagt Mike Peters, Marketing Manager von Ramtron.
Die seriellen, nichtflüchtigen RAM-Bausteine arbeiten in einem Spannungsbereich von 2,0 V bis 3,6 V und sind in 8-Pin-SOIC-Gehäusen untergebracht, die das Two-Wire-Protokoll (I²C) unterstützen.
Unter anderem lassen sich die F-RAMs in industriellen Steuerungssystemen, Mess- und Medizingeräten und Computeranwendungen einsetzen, auch als eine Alternative zu Flash- und EEPOM-Bausteinen mit Speicherkapazitäten von 512 KBit und 1 MBit.
Alle seriellen F-RAM-Komponenten der V-Familie bietet Ramtron mit optionalen Features an, beispielsweise mit einer eindeutigen Seriennummer und anpassbarem System-Reset.
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