Rohm
SiC-MOSFETs für BBUs in HVDC-Architekturen
Rohm hat bekannt gegeben, dass sein 750-V-SiC-MOSFET in einer BBU (Battery Backup Unit) für die Stromversorgung von KI-Servern zum Einsatz kommt.
Da GPUs immer leistungsfähiger werden und generative KI zunehmend Einzug hält, steigt die Leistungsaufnahme von Rechenzentren rapide an. Zur Lösung dieses Problems setzt die Branche zunehmend auf HVDC-Architekturen (HVDC: Hochspannungs-Gleichstrom), um Verluste bei der Stromübertragung zu reduzieren. In Hochleistungs- und Hochspannungsumgebungen spielen BBUs und CUs (Kondensatoreinheiten), die den Strom auf Server-Rack-Ebene ausgleichen, eine immer wichtigere Rolle. Sie gleichen den Strom auf Server-Rack-Ebene aus und schützen so Systeme und riesige Datenmengen im Falle von Störungen wie Stromausfällen oder kurzzeitigen Unterbrechungen. In diesem Umfeld wurde das SiC-Leistungsbauelement von Rohm als Lösung für Stromversorgungssysteme der nächsten Generation ausgewählt.
Bei dem eingesetzten Produkt handelt es sich um den SCT4013DLL, einen 750-V-SiC-MOSFET, der im Stromversorgungsbereich einer ±400-V-Stromversorgungsarchitektur für KI-Server verbaut ist. Dank der Eigenschaften von SiC bietet dieses Produkt eine hohe Temperaturbeständigkeit mit einer maximalen Sperrschichttemperatur (Tj) von 175 °C. Somit ist ein stabiler Betrieb selbst in BBUs gewährleistet, in denen die Wärmeentwicklung mit steigender Spannung und Leistungsdichte zunimmt.
In 800-VDC-Stromversorgungsarchitekturen der nächsten Generation beträgt die an den Akku im Inneren der BBU gelieferte Versorgungsspannung etwa 560 V. Aus diesem Grund können die 750-V-SiC-MOSFETs von Rohm auch in diesen Systemen eingesetzt werden.
Hochspannungs-Gleichstrom-Versorgungen für KI-Server der nächsten Generation erfordern Backup-Systeme, die im Falle einer Störung hohe Spannungen und große Ströme sofort regeln können, und zwar bei minimalem Leistungsverlust. Um diesen hohen Anforderungen gerecht zu werden, gelten SiC-Leistungsbauelemente, die hohe Spannungsfestigkeit, geringe Verluste und hohe Temperaturbeständigkeit vereinen, als Schlüsselkomponenten im Kern der Leistungssteuerung.