Messeplattform PCIM - Bildergalerie Teil 4

Navitas

Schnellerer Übergang zu 800-V-Architekturen

Zu den Highlights am Navitas Stand zählen zwei SST-Lösungen für die Umwandlung des Mittelspannungsnetzes in 800-V-Hochspannungs-Gleichstrom, eine 10-kW-DC-DC-Full-Brick-Plattform für 800 V bis 50 V sowie eine 20-kW-Stromversorgungsplatine für 800 V bis 6 V für KI-Rechenzentren. Zu den Produkt-Highlights zählen die neuesten GaNFast-FETs mit Werten von 0,8 mOhm bei 100 V bis 11 mOhm bei 650 V sowie ein erweitertes Angebot in den Produktfamilien GaNSafe, GaNSlim und bidirektionale GaN-ICs. Zudem wird Navitas 3300-V-, 2300-V- und 1200-V-TAP-SiC-Bauelemente (Trench Assisted Planar) mit hochzuverlässigen SiCPAK-Pressfit-Modulen vorstellen, zusammen mit den kürzlich angekündigten GeneSiC-TAP-MOSFETs der 5. Generation für KI-Rechenzentren in QDPAK- und TO247-LP-Gehäusen.

Halle 9, Stand 544