Tipps für Schaltnetzteil-Designer

19. November 2019, 5 Bilder
Bild: Infineon Technologies/Digi-Key
© Bild: Infineon Technologies/Digi-Key

Bild 3: Wie die integrierte eGaN-Leistungsstufe LMG3411R070 von TI zeigt, ermöglichen eGaN-Leistungstransistoren viel höhere Anstiegsraten als MOSFETs, und das mit minimalem Klingeln.