MOSFETs, Transistoren und Co.
17. Februar 2017, 7 Bilder
Mit dem n-Kanal-Baustein SiHP065N60E präsentiert Vishay den ersten 600-V-Leistungs-MOSFERT der vierten Generation der E-Serie. Der neue MOSFET der Marke Vishay Siliconix, der auf der aktuellen Superjunction-Technologie der E-Serie basiert, weist einen um 30 % geringeren On-Widerstand und eine um 44 % geringere Gate-Ladung auf als die bisherigen 600-V-MOSFETs der E-Serie.