Toshiba Electronics Europe

40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in SOP-Advance(EWF)-Gehäuse

8. Juni 2026, 07:48 Uhr | Iris Stroh
40V N-channel power MOSFETs in SOP Advance(EWF) package
© Toshiba Electronics Europe

Toshiba erweitert sein Portfolio um drei 40-V-N-Kanal-MOSFETs im neuen SOP-Advance(EWF)-Gehäuse für Automotive-Anwendungen. Dank optimierter Kupferclip-Struktur bieten die Bauteile höhere Stromtragfähigkeit, geringeren Einschaltwiderstand und verbesserte Wärmeableitung.

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Toshiba Electronics Europe stellt drei neue 40V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vor: das bereits verfügbare Modell XPMR5904PB sowie die neuen Varianten XPMR7404PB und XPMR8504PB, die in Kürze erhältlich sein werden. Die Bauteile basieren auf dem neu eingeführten SOP-Advance(EWF)-Gehäuse und sind speziell für anspruchsvolle Automobilanwendungen konzipiert, darunter Wechselrichter, Halbleiterrelais, Lastschalter und Motorantriebe.

Ein wesentliches Merkmal des XPMR5904PB ist die Verwendung des SOP-Advance(EWF)-Gehäuses mit innovativer Kupferclip-Struktur. Dabei werden Chip und Leadframe intern ohne Lötverbindung über eine Kupferklemme miteinander verbunden. Dieser optimierte Aufbau reduziert den elektrischen Widerstand im Strompfad signifikant. Zusätzlich verfügt das Bauteil über eine erweiterte Source-Verbindungsstruktur, die die Source-Anschlüsse auf der Rückseite des Gehäuses miteinander verbindet und so die Kontaktfläche zum Leiterplatten-Footprint vergrößert.

Durch diese strukturellen Optimierungen kann eine größere Chipfläche integriert werden, was die Stromtragfähigkeit verbessert. Der XPMR5904PB erreicht einen nominalen Drain-Gleichstrom von bis zu 180 A – etwa das 1,2-Fache vergleichbarer Produkte mit herkömmlichem SOP-Advance(WF)-Gehäuse.

Zur Erfüllung der Anforderungen moderner Hochstrom-Automobilanwendungen und zur Steigerung der Energieeffizienz wurden die Leistungsparameter deutlich verbessert. Im Vergleich zum bestehenden Modell XPHR7904PS bietet der XPMR5904PB eine Reduzierung des Drain-Source-On-Widerstands (RDS(ON)) um rund 25 % sowie eine Verringerung der thermischen Impedanz zwischen Kanal und Gehäuse (Zth(ch–c)) um etwa 38 %. Diese Verbesserungen führen zu geringeren Leistungsverlusten und einer höheren Gesamteffizienz.

Im Hinblick auf Fertigungsqualität und Prüfprozesse wurde das SOP-Advance(EWF)-Gehäuse als SMD (Surface Mount Device) mit Lötmenisken ausgeführt, um die automatisierte optische Inspektion (AOI) zu erleichtern. Dies ermöglicht eine effiziente Integration in automatisierte Fertigungslinien. Gleichzeitig stellt Toshiba sicher, dass die Bauteile die strengen Anforderungen des AEC-Q101-Standards erfüllen, der maßgeblich für die Zuverlässigkeitsprüfung elektronischer Komponenten im Automobilbereich ist.


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