Die Bilder Artikel des Jahres 2017
11. Mai 2017, 4 Bilder
Das Potenzial von Siliziumkarbid für Anwendungen in der Leistungs- und Hochfrequenzelektronik ist riesig. Doch bis ein Prozes gefunden wurde, um konkurrenzfähige SiC-Substrate herzustellen, war es ein weiter Weg. Und auch heute muss den steigenden Anforderungen an Qualität und Durchmesser nachgekommen werden.