45-nm-NOR-Flash-Speicher liest mit 266 MByte/s
Numonyx hat mit der Bemusterung von NOR-Flash-Speichern begonnen, die in der neuen Prozesstechnik mit 45 nm gefertigt wurden.
Die Speicher der neuen M-Familie von Numonyx unterscheiden sich von ihren Vorgängern in 65 nm zum Beispiel durch den mehr als um die Hälfte reduzierten Ruhe-Strom von 100 µA (256-Mbit-Version). Die Stromaufnahme beim Lesen liegt bei 46 mA, beim Schreiben sind es 50 mA. Die Core- und E/A-Spannung beträgt 1,8 V.
Durch die Zugriffszeit von 96 ns liegt die Leserate der Speicher bei 266 MByte/s. Die Schreibrate beträgt 1,8 MByte/s.
Die Speicher lassen sich 100.000 Mal beschreiben und löschen. Die 45-nm-Speicher sind mit den 65-nm-Speichern von Numonyx kompatibel. Als Kapazität sind 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit und 1 Gbit vorgesehen. Die Speicher eignen sich für einen Temperaturbereich von -30 bis +85 °C.
Derzeit liefert Numonyx Muster der Speicher an die Kunden aus, die Massenfertigung soll im nächsten Jahr starten.
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