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OptiMOS-Portfolio erweitert

150-V-MOSFET reduziert Durchlasswiderstand und Sperr-Erholladung

Infineon stellt mit dem OptiMOS 5 150 V einen neuen MOSFET der 5. Generation seiner OptiMOS-Familie vor. Mit dem Baustein soll ein höherer Wirkungsgrad in Systemdesigns und Endanwendungen möglich sein.

Für IGBT- und SiC-MOSFET-Treiber

DC/DC-Wandler für robustere Leistungsstufen

Neben IGBTs werden in der Leistungselektronik für anspruchsvollere Aufgaben vermehrt…

ExoMars-Mission der ESA

Infineon-Halbleiter auf dem Weg zum Mars

Gestern sollte der erste »Botschafter« Europas auf dem Mars landen. An Bord der Sonde…

Expertendiskussion zur Digitalisierung

Datensicherheit macht nur europäisch Sinn

Bei einem von VDE und Infineon organisierten Treffen diskutierten Vertreter aus Politik…

Verbundprojekt Forelmo

Mehr Sicherheit für Elektrofahrzeuge

Je höher die Energiedichte einer Batterie, desto höher ist die Reichweite eines…

Chips für Lidarsysteme

Infineon kauft Innoluce

Infineon Technologies hat Innoluce, ein Halbleiterunternehmen ohne eigene Fertigung…

Automobilfrontscheinwerfer der Zukunft

Osram & Co. stellen ersten Pixel-Matrix-LED Frontscheinwerfer vor

Eine ganze Reihe namhafter deutscher Firmen und Forschungsinstitute hat in einem…

Bundesregierung vollzieht 180°-Schwenk

1,7 Milliarden Euro Subventionen für Deutschlands Mikroelektronik

Nach vielen Jahren des Darbens und zusehen, wie die Konkurrenz in Asien aber auch in den…

Leistungselektronik-Konferenz EPE 2016

Dr. Peter Friedrichs hält Keynote

Vom 6. bis zum 8. September 2016 ging es in der Karlsruher Stadthalle bei der EPE 2016 um…

Klein und sicher

Clouds für künftige Anwendungen

Das Forschungsprojekt „Sendate-Planets“ soll Lösungen für den sicheren Aufbau kleiner und…