Siliziumkarbid
Infineon präsentiert 1200-V-SiC-MOSFET
Nun lässt Infineon die Katze aus dem Sack. Anlässlich der PCIM stellt das Unternehmen seine eigene Siliziumkarbid-MOSFET-Technologie vor. Infineon wird die ersten Applikationen in der zweiten Jahreshälfte 2016 bemustern, der Beginn der…