Infineon: CoolSiC MOSFETs 2000 V
SiC-Komponente mit einer Durchbruchspannung von 2000 V
Infineon Technologies hat die neuen CoolSiC MOSFETS 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse vorgestellt und reagiert damit auf die Nachfrage nach höherer Leistungsdichte, ohne Abstriche bei der Systemzuverlässigkeit zu machen, selbst unter anspruchsvollen…