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Ferdinand Braun Institute

Gallium-Oxide Power MOSFET Handles 155 MW/cm²

The Ferdinand Braun Institute has developed a lateral power transistor that achieves a power density of 155 MW/cm² at a breakdown voltage of 1.8 kV. The breakdown field strength reaches 1.8 MV/cm to 2.2 MV/cm.

Von 4k-TVs über 5G bis Smart Homes

Die Highlights der IFA

Auf der diesjährigen IFA gibt es rund um Fernseher, PCs, Mobilfunk, Smart Home und…

Ferdinand-Braun-Institut

Galliumoxid-MOSFET bewältigt 155 MW/cm²

Das Ferdinand-Braun-Institut hat einen lateralen Leistungstransistor entwickelt, der bei…

5-Achsen-Bearbeitungszentrum Microone

Zusätzliches Lasermodul sorgt für mehr Flexibilität

Das 5-Achsen-Bearbeitungszentrum Microone von Zorn fräst, schneidet und schweißt nicht…

Europäische Batteriezellenfertigung

2022 soll die Produktion beginnen

Peter Altmaier sieht das Projekt einer europäischen Batteriezellfertigung auf gutem Weg,…

Paul Scherrer Institut (PSI)

Starke Magnetfelder zerstörungsfrei in Komponenten vermessen

Am Schweizer Paul Scherrer Institut wurde eine neue Methode entwickelt, sehr starke…

University of California San Diego

Warum Lithium-Metall-Akkus ausfallen

Ein Forscherteam an der Universität von Kalifornien San Diego hat entdeckt, warum…

Living Heart Project

Das Herz aus dem Computer

Das Living Heart Project hat das Ziel, die Wirkung von Behandlungen bei Herzerkrankungen…

Prothesenfuß ComfyStep

Kontrolle und Sicherheitsgefühl auch auf unebenem Boden

Mit dem ComfyStep hat Mecuris einen neuen Prothesenfuß auf den Markt gebracht. Er ist laut…

Nachgefragt: Wissen aus der Praxis

Wann wurde der erste Herzschrittmacher implantiert?

Es gibt keine dummen Fragen, nur dumme Antworten! Und gerade in der Medizintechnik fragt…