Paul Scherrer Institut PSI
Mit Röntgenstrahlen GaN-HEMTs besser verstehen
GaN-HEMTs bieten erhebliche Vorteile gegenüber heutigen HF-Transistoren. Dennoch bleiben viele grundlegende Eigenschaften des Materials ungeklärt. Mithilfe von Röntgenstrahlen konnten Forscher am Paul Scherrer Institut beobachten, wie Elektronen…