Elektronik

Dreifache Durchbruchfeldstärke

SweGaN entdeckt neues Epitaxie-Verfahren für GaN auf SiC

Galliumnitrid auf Siliziumkarbid epitaktisch aufzuwachsen ist zwar nicht so komplex wie auf Silizium, aber trotzdem nicht trivial. Zufällig stellten Entwickler bei SweGaN fest, dass ihre GaN-on-SiC-Transistoren dreimal höhere Feldstärken verkraften, als erwartet. Nun wissen sie, warum.

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Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics schließt Liefervertrag mit SiCrystal

Der Bedarf an SiC-Bauelementen im Automobil- und Industriesektor steigt....

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