Elektronik

Vishay

N-Channel MOSFETs mit hoher Leistungsdichte

Die SiSS12DN-40V-N-Channel-MOSFETs von Vishay erhöhen die Leistungsdichte und Effizienz für Leistungsumwandlungstopologien. Sie werden im kompakten 3,3 x 3,3 mm² PowerPAK-1212-8S-Gehäuse angeboten und verfügen über niedrige Ausgangsladung in der Sub-2-mΩ-Klasse.

Lithium-Ionen-Technologie

Neue Akku-Module laden Maschinen bis zu 11.000 Mal

GS YUASA bringt neue Lithium-Ionen-Batteriemodule auf den Markt. Die LIM50EL-Serie...

Vier neue Mitglieder

Erweiterung der Geschäftsführung von Phoenix Contact

Im Rahmen der Nachfolgeregelung für die Geschäftsführer Prof. Dr. Gunther Olesch (CHRO/...

Mit 5G und smarter Sensorik

Die Produktion digitalisieren

Adaptive Herstellungsprozesse passen sich an das Bauteil an und sparen...

Universität Pisa / Picosun

1 µF/mm² bei in Silizium integrierte Mikrokondensatoren

Wie Forscher der Universität Pisa berichten, haben sie mithilfe der weitverbreiteten...

Feuergefahr bei Lithium-Ionen-Akkus

Was tun bei Batteriebrand?

Je höher die Energiedichte bei Batterien und Akkus, desto größer die Feuergefahr....

Künstliche Intelligenz

Welche Prozessorarchitektur eignet sich am besten?

Grafikprozessoren sind die populärste Architektur für Rechenaufgaben im Bereich...

Exabyte-Grenze geknackt

So viel Datenvolumen brauchen die Deutschen

In den deutschen Mobilfunknetzen sind 2019 erneut mehr Daten verbraucht worden als je...

Video zur embedded world Conference 2020

IoT, Security und Software

Die embedded world Conference hat ein sehr breit gefächertes Themenspektrum. Conference...

Christian Reinwald, Reichelt

»2020 wird ein Jahr großer Veränderungen«

5G-Ausbau, Robotik, und E-Mobilität: Im Trendinterview skizziert Christian Reinwald,...