Elektronik

Neue 650-V-GaN-Technik für Automotive

Kleinere und bessere Galliumnitrid-FETs, ohne zusätzliche Treiber

Nexperia stellt eine neue Generation 650-V-GaN-Technik vor, mit hohem Gütefaktor, mehr Stabilität, kleineren Fehlerrraten, 24 % weniger Die-Fläche und geringeren Verlusten. Die Kompontenten für Automotive, 5G und Datenzentren sind im Package TO-247 und als Kupferclip-SMD-Ausführung erhältlich.

CEA-Leti

Neuer Weltrekord bei LiFi-Kommunikation

Wissenschaftler am französischen Forschungsinstitut CEA-Leti haben in der...

Hohe Ströme präzise messen

Shunts können es mit Hall-Sensoren aufnehmen

Der US-Hersteller Riedon hat isolierte Shunts für Strommessungen bis rund 1000 A...

Hans Steiner und Markus Kohler, Datatec

»So sparen wir den Kunden viel Zeit«

Durch Produktvergleiche wollen sich Kunden bei der Beschaffung von preisintensiver...

Anwenderforum Passive Bauelemente

Schulung, die in keinem Datenblatt zu finden ist

Warum verhält sich ein Widerstand in der Applikation nicht so wie in der Simulation?...

Open Source

Sicherer Mikrokernel seL4 für RISC-V

Australische Wissenschaftler haben den sicheren Open-Source-Mikrokernel seL4 für die...

Für intuitivere HMIs

Effizienter 60-GHz-Radarchip am Imec entwickelt

Am Imec wird 60-GHz-Radarchip mit hoher Auflösung und geringer Leistungsaufnahme...

Alternative zu Li-Ionen-Batterien

US-Forscher entwickeln praxistaugliche Natrium-Ionen-Batterie

Eine Natrium-Ionen-Batterie mit einer ähnlichen Kapazität wie herkömmliche...

AMA Innovationspreis 2020

Fünf Arbeiten in der Endrunde

Aus insgesamt 38 Bewerbungen kamen in diesem Jahr nicht vier, sondern fünf Kandidaten...

Innovativer Außenspiegel

Display Industry Award geht an Audi

Für die Entwicklung eines Display-Kamera-Systems, das den klassischen Außenspiegel...