Elektronik

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei 15 mΩ für einen 650-V-Baustein im TO-247-3-Gehäuse, was und 25 Prozent weniger Verlustleistung produzieren soll als äquivalente Siliziumkarbid-MOSFETs. Zielmarkt ist die Elektromobilität.

Amazon Web Services

9 neue Funktionen für Machine-Learning-Tool SageMaker

Der Cloud-Anbieter Amazon Web Services erweitert sein Dienste-Angebot zur...

Yole Développement / Power-Module

Elektromobilität verändert die Spielregeln beim Packaging

In ihrem Bericht »Status of the Power Module Packaging Industry Report 2020« kommen die...

Forschung für nachhaltige Elektronik

Kompostierbare Displays

Das Karlsruher Institut für Technologie entwickelt kompostierbare Displays. Die...

Fabrik der Zukunft

5 Trends für Industrie 4.0

Mit der zunehmenden Digitalisierung hat die Vision der Fabrik der Zukunft einen enormen...

Verknappung / Analog Devices

Engpässe bei MLCCs meistern

Das weltweite Angebot nach Keramik-Vielschichtkondensatoren (MLCCs) hält mit der...

Martin Schneider-Ramelow, Fraunhofer IZM

Drahtbonding hat noch lange nicht ausgedient

Obwohl es Drahtbonden seit mehr als einem halben Jahrhundert gibt, besitzt diese...

Forschung am KIT

Lesen lernen mit dem Roboter

Die Einsatzbereiche künstlicher Intelligenz sind weit gefächert. Ein Beispiel sind...

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs vor Kurzschluss schützen

Im Vergleich zu IGBTs aus Silizium stellen äquivalente MOSFETs aus Siliziumkarbid...

Lapp

Geltechnologie für Mehrfacheinführungssysteme

Lapp hat eine runde Mehrfacheinführung mit patentierter Trichter-Stufen-Geometrie...