Elektronik

Applied Novel Devices

Silizium-MOSFETs mit GaN-Performance

Weil Silizium-MOSFETs üblicherweise eine sehr hohe Rückwärtserholung haben, schalten sie viel langsamer als beispielsweise GaN-Transistoren. Applied Novel Devices und sein Foundry-Partner SkyWater haben jetzt Silizium-MOSFETs vorgestellt, die fast keine Rückwärtserholung mehr aufweisen.

Touch-Steuerung

Capsense geht in die 5. Generation

Auch nach der Übernahme durch Infineon wird die Touch-Steuertechnik aus dem ehemaligen...

Nachhaltigkeit und Reparierbarkeit

Covestro liefert zirkuläre Materiallösungen für Fairphone

Durch teilweise recycelte thermoplastische Polyurethane und Polycarbonate hilft...

Dr. Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik

Auch wenn GaN-Bauelemente seit einigen Jahren auf dem Markt verfügbar sind, sind dies...

Kameramodule für Embedded-Systeme

Arrow Electronics und Appletec kooperieren

Arrow Electronics hat eine Vereinbarung mit der israelischen Firma Appletec...

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

SiC und GaN richtig ansteuern

Die Leitlinien für die Gate-Ansteuerung von Silizium-MOSFETs oder -IGBTs lassen sich...

5G-Mobilfunkausbau in der EU

Zu langsam und mit unterschiedlicher Sicherheit

In einem Sonderbericht hält der Europäische Rechnungshof fest, dass der Aufbau der...

Andreas Urschitz, Infineon Technologies

Galliumnitrid prägt die Energieeffizienz

Als Division President PSS ist Andreas Urschitz bei Infineon für Silizium-MOSFETs und...

Softwareentwicklung

IDE für die neuen Aurix-Mikrocontroller

Damit Entwickler nicht bis zum Start der Serienproduktion der neuen...

Analogtechnik

Der wichtigste Bestandteil in der digitalen Welt

Man könnte glauben, dass die vernetzte Welt ausschließlich digital ist. Doch die...